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该记忆体晶片採用三星20nm製程（可能是21nm），每die最大容量可达1GB，此外还採用与JEDEC合作制定的低电压摆幅终止逻辑LVSTL I/O界面，每pin传输速度高 达3200Mbps，比自家20nm的LP DDR3快了50%。此外其电压仅为1.1V，功耗仅为LPDDR3的40%。
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2013-12-30 22:19 上传
三星8Gb LPDDR4将会在明年开始用于高阶智慧手机上，可能会和CES 2014亮相的64位Exynos Octa处理器搭配使用。值得一提的是，此前三星电子也是业内首家提供3GB LPDDR3记忆体方案（6Gb×4die）的厂商。
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